双轴取向PVDF复合薄膜

储能密度1.57倍

极低含量功能化BNNS实现击穿强度与储能密度同步大幅提升,为高能电容器提供可规模化制备的聚合物电介质。

Chen, Fujia · 李剑峰 · Zhao, Yuetao · 杨亚杰 · 徐建华 · 苏元捷

ACS Applied Materials & Interfaces 2025

参数信息

击穿场强
755.94 MV/m
放电能量密度
15.66 J/cm³
BNNS含量
0.1 wt%

技术优势

极低含量即见效

仅0.1 wt%的功能化BNNS就能将击穿场强提升16.8%,说明界面调控效率极高,材料成本几乎不增加。

同时降泄漏

水平分布的BNNS有效降低泄漏电导损耗,减少能量在充放电过程中的耗散,使更多能量得以存储和释放。

可规模化制备

采用熔融共混结合双轴取向技术,均为成熟的工业工艺,有利于放大生产高性能介电薄膜。

应用场景