碳纳米管SWIR探测器

像素缩至亚波长

该探测器在像素缩至亚波长后，探测率与响应速度不降反升，突破了传统外延光电二极管约10 µm的像素尺寸限制。

Gao, Shengmei · 罗涛 · Yan, Ying · 韩丰远 · Cao, Yu · Shu, Haowen · Jianhua, Jiang · 王莹 · 张志勇

Advanced Materials 2026

参数信息

比探测率

>10^15 cm·Hz^1/2·W^-1

上升时间

132 µs

下降时间

148 µs

像素间距

0.65λ λ

技术优势

像素缩至1 µm探测率反升

比探测率随像素缩小从5.5 µm到1.0 µm持续提升，突破传统外延光电二极管约10 µm的尺寸限制。

无需复杂外延工艺

采用碳纳米管薄膜HGFET结构，可与硅基读出电路兼容，提供可扩展且成本效益高的平台。

应用场景

• SWIR成像：用于高分辨率SWIR成像，像素缩至亚波长提升空间分辨率。
• 高分辨率光电探测：在微小像素上保持高探测率，适用于高分辨率探测。
• 硅基读出电路集成：可与硅基读出电路集成，形成可扩展成像系统。
• 消费电子成像：成本效益高，适合消费电子中的SWIR成像模块。