GaN HEMT LED驱动器

96.1%峰值效率

采用全软开关机制,实现低噪声、低THD、高功率因数和高效率。

Muhammad, Faizan · 钱正芳 · Zhu, Hua · 范姝婷 · Yousaf, Zain · Bajaj, Mohit · Chen, Zhichu · Asad, Aziz

Scientific Reports 2025

参数信息

峰值效率
96.1 %
功率因数
0.99
总谐波失真
11.2 %
母线电压
410 V

技术优势

开关噪声极小

全软开关机制使开关损耗可忽略,从而实现极低的噪声。

无直通风险

新型门极辅助电路通过数学分析和建模抑制半桥配置中的直通,提高了可靠性。

驱动独立双串LED

变压器带有两个独立次级绕组,可分别驱动两串LED,简化系统设计。

应用场景