超高开关比紫外探测
一种致密无裂纹的硫掺杂氮化碳薄膜，通过与GaN构建n-n异质结实现非凡的蓝-紫外光电探测性能。
宋伟东 · Jun, Wei · Junxing, Lv · 曹小兵 · Sun, Yiming · 李述体 · 合性
Carbon 2024
开/关比达7.3 × 10⁷，得益于硫掺杂位点的光生电子陷阱效应，使器件从光电二极管行为转变为光电导行为，获得显著增益。
仅需−0.4 V偏压就能获得2.06 × 10¹⁴ Jones的比探测率，适合电池供电的便携设备。
响应度581 mA/W，意味着即使微弱光强也能产生较大光电流，降低后续放大电路的设计难度。
两步热气相沉积法生长的硫掺杂薄膜层间距减小，提升导电性与电荷转移能力，并实现致密无裂纹的形貌。