微电偶腐蚀抑制98.6%
通过三唑与烟酸协同吸附，在铜/钌界面同时形成钝化膜和竞争吸附层，抑制抛光过程中的微电偶腐蚀。
Shuo, Gao · Jia-Hui, Ma · Jingyi, Lai · 柴智敏 · 葛世荣 · Cheng, Jie
Surfaces and Interfaces 2026
10 mM TAZ + 80 mM NA的配方把电偶腐蚀电流压到原来的1.4%，腐蚀因子0.01意味着两种金属几乎不再互相加速腐蚀。
Cu/Ru表面电位差大幅缩小，从根源上削弱微电偶腐蚀的驱动力，不用依赖单一金属的钝化。
铜上形成Cu-TAZ/Cu-NA混合钝化膜，钌上NA主导的竞争物理吸附抑制局部腐蚀，一套配方覆盖界面两侧。