离子注入环氧绝缘体

真空闪络电压提升

通过离子注入调控表面陷阱，抑制二次电子发射并诱导同极性电荷，协同提升环氧树脂的真空闪络耐受能力。

Inzamam Ul, Haqa · Akram, Shakeel · 方志 · Muhammad, Tariq Nazirb · Essam A., Al-Ammarc

Nanotechnology Reviews 2024

参数信息

离子注入能量

6, 10, 20, 40, 50, 60 keV

技术优势

闪络电压显著提高

离子注入增强了陷阱深度，限制表面电荷运动并抑制二次电子发射，协同作用下直流闪络电压大幅提升。

表面电导降低

注入离子形成的深陷阱抑制了表面电荷的跳跃传导，从而降低表面电导率，减少泄漏电流。

二次电子发射被抑制

深陷阱捕获入射电子并减少非弹性散射的二次电子产生，从源头削弱电子倍增过程。

同极性电荷抑制阴极发射

三结合点附近形成的同极性电荷削弱阴极局部电场，降低电子发射概率，有效抑制闪络起始。

应用场景

• 高压绝缘器件：提升真空环境中环氧绝缘件的沿面耐压能力，延长高压设备寿命。
• 真空开关：降低真空开关中绝缘支撑件的闪络概率，提高开关可靠性。
• 脉冲功率系统：抑制快前沿脉冲下的电子倍增，增强绝缘子抗闪络能力。
• 航天器电源绝缘：在航天真空环境下降低表面电荷积累，防止绝缘失效。