Sm掺杂PZT压电薄膜

压电系数提升4.55倍

溶胶-凝胶法实现晶粒显著增大与(100)择优取向，压电性能大幅超越未掺杂PZT薄膜。

Jinming, Ti · 李俊红 · Fan, Qingqing · Qing, Yu · Yuhan, Ren · Wang, Chenghao

Journal of Applied Physics 2024

参数信息

压电系数 d33

279.87 pm/V

技术优势

压电系数提升4.55倍

Sm掺杂促使晶粒增大并诱导(100)择优取向，从而大幅提高压电系数d33。

晶粒显著增大

与未掺杂PZT薄膜相比，所有Sm掺杂薄膜的晶粒尺寸均显著增加。

剩余极化增强

Sm掺杂显著提升剩余极化Pr，有利于改善铁电存储等性能。

应用场景

• 压电MEMS执行器：高d33提升位移输出与能效，缩小驱动电压需求。
• 压电传感器：更高压电响应增强微弱信号探测灵敏度。
• 柔性压电器件：高d33补偿柔性基底应变损耗，保持输出功率。
• 电子皮肤触觉传感：高灵敏度压电响应提升触觉分辨率与信噪比。