高频阴极极化增硅
1000 Hz阴极极化可显著提升涂层中Si含量并稳定t-ZrO₂相，避免低频下发生的涂层分层。
Qianna, Zhang · Jiale, Wu · Zhi, Liu · 程英亮
Applied Surface Science 2025
在 1000 Hz 下即使 R=1.6 也不发生软火花和分层，因为短阴极脉冲阻止了 H⁺ 向涂层深处迁移。
1000 Hz 下阴极极化使 t-ZrO₂ 含量达 37 wt%，主要靠 SiO₂ 稳定而非温度梯度。
剧烈析氢带来的“电解质搅拌”效应促进了 SiO₃²⁻ 的掺入，大幅提高涂层 Si 含量。