线性磁阻维持至100K
通过垂直排列纳米片增大比表面积并引入Cu掺杂，实现n型到p型的载流子类型转变，线性磁电阻具有拓扑表面态的量子起源。
Li, Mingze · 王振华 · Xudong, Shi · Li, Tingting · Gao, Xuan P.a. · 张志东
Journal of Solid State Chemistry 2023
在Cu浓度为1.73 at.%的垂直Bi₂Se₃纳米片薄膜中，线性磁电阻可以维持到100 K，远高于常规拓扑绝缘体体系的低温限制，有利于实际器件应用。
通过Cu掺杂，电子掺杂被抑制，载流子类型从n型转变为p型，为需要p型拓扑绝缘体的异质结和量子器件提供了材料基础。
垂直排列的纳米片薄膜表现出三维磁输运行为，区别于平面薄膜的二维特性，可用于探索拓扑表面态在三维几何中的新现象。
由于高比表面积，垂直未掺杂Bi₂Se₃纳米片薄膜表现出弱反局域化效应，表明拓扑表面态性质得到大幅增强，有利于自旋输运研究。