铜掺杂V₂O₅纳米花

电容倍增窗口拓宽

通过Cu掺杂同时提升比电容、拓宽电位窗口并改善倍率与循环稳定性，且可作对称超级电容器双功能电极。

Keli, Wang · Fangxuan, Wang · 钱蕾 · Dandan, Wang · Yongqi, Liu

Langmuir 2024

技术优势

电容大幅提升

铜掺杂增大了层间距并改善电导率，使电解质离子和电子传输更快，从而显著提高比电容。

电压窗口拓宽

铜掺杂改变了电极材料的表面化学，使其能在更宽的电位范围内稳定工作，提高能量密度。

倍率与稳定性双升

铜掺杂同时改善了倍率能力和长期循环稳定性，使器件在高电流密度下仍保持较高容量且循环寿命更长。

一种材料两用

Cu掺杂V2O5可同时用作正极和负极，简化对称超级电容器的组装。

应用场景

• 超级电容器：提供高比容量、宽电压窗口的电极材料，直接替代常规V2O5。
• 储能器件：组装对称超级电容器，为LED灯等小型电子器件供电。
• MOF衍生电极：以MOF为前驱体衍生出掺杂氧化物纳米结构，提升电化学性能。