半共格界面

研究Cu/Ni、Cu/Pd和Cu/Ag半共格界面在氦浓度增加时通过位错环和层错演化增加氦捕获位点，从而提升氦管理能力。

Yong, Yang · 何陵辉 · 倪勇

Surfaces and Interfaces 2024

技术优势

捕获位点增多

氦浓度增加促使界面形成位错环和层错，并导致失配位错节点分解，为氦原子提供更多捕获位点，从而提高界面对氦的容纳能力。

偏析倾向强

氦原子倾向于偏析到半共格界面，使界面成为有效的氦陷阱，有助于将氦从基体中移除，减轻氦脆危害。

应用场景

• 抗辐照材料：利用这类界面结构提升材料对氦的容纳能力，从而增强抗辐照性能。
• 核结构材料：为核结构材料设计高密度氦陷阱界面，降低氦致损伤风险。
• 聚变堆第一壁：通过界面工程缓解第一壁材料中的氦积累和起泡问题。