超薄GaN晶体

Cao, Jun; Li, Tianshu; Gao, Hongze; Cong, Xin; Lin, Miaoling; Russo, Nicholas; Luo, Weijun; Ding, Siyuan; Zifan, Wang; Smith K.E.; Tan, Pingheng; Qiong, Ma; Ling, Xi

超薄GaN晶体

低温可控制备

通过氮置换层状GaS，在相对低温下获得厚度可调的高结晶度二维GaN，为紧凑型电子器件提供理想材料平台。

Cao, Jun · Li, Tianshu · Gao, Hongze · Cong, Xin · Lin, Miaoling · Russo, Nicholas · Luo, Weijun · Ding, Siyuan · Zifan, Wang · Smith K.E. · 谭平恒 · Qiong, Ma · Ling, Xi

Journal of Electronic Materials 2023

具体参数

厚度从: 50 nm
薄片: 72 %

技术优势

合成温度590°C

带边光致发光相对于块体GaN发生蓝移