氧掺杂1T-CrTe₂薄膜

室温磁性抗环境

氧等离子体处理同时实现磁耦合调控与空气稳定性增强，长期暴露后仍保持室温磁性。

Jiwei, Liu · 王聪 · 孙一军 · Chen, Changhong · 季威 · Xu M. · 杨德仁

Small 2026

技术优势

磁性可从台阶状调成铁磁主导

通过控制氧等离子体处理时长改变氧化深度，层间磁耦合从FiM相关行为连续演化为FM主导，为按需设计磁响应提供途径。

处理后不需封装能稳定存放

氧掺杂形成的表面氧化层作为保护屏障，该薄膜在长期环境暴露后仍表现出稳健的室温磁性。

氧化深度渐进可控

氧取代诱导局部Cr-Te-O结构重排，从表面向内部逐层扩展，通过处理时长可以调节有效氧化水平。

应用场景

• 自旋电子器件：提供室温、抗氧化的磁性薄膜，可直接集成到器件中而无需额外封装。
• 二维材料：展示了一种通过等离子体氧化实现二维材料磁性与稳定性协同调控的通用策略。
• 磁存储器：可调的磁态和空气稳定性为在环境条件下工作的磁存储单元提供了候选材料。