高熵二硼化物颗粒

抗拉强度661 MPa

这种颗粒通过高熵设计与Cr偏析，同时实现细化与分散，使铸造铜基复合材料在保持83.7% IACS电导率的同时获得661 MPa抗拉强度。

Zhang, Xingde · 姜伊辉 · 李鹏涛 · Yihang, Pang · Haorui, Zhong · 曹飞 · Yanfang, Wang · Wenhao, Yang · Meng, Yi · Siyuan, Zhao · 梁淑华

Acta Materialia 2026

具体参数

抗拉强度

661 MPa

电导率

83.7 % IACS

技术优势

颗粒同时细化与分散

通过高熵设计，Ti、Zr、Hf、Ta提高形核驱动力，Cr降低界面能并偏析形成粗糙界面，既促进形核又抑制长大，同时降低接触角使颗粒分散，从而同时实现颗粒细化和均匀分布。

强度与电导率兼得

纳米分散的(TiZrHfCrTa)B2颗粒细化基体晶粒并提高位错密度，使复合材料抗拉强度达661 MPa，同时电导率保持83.7% IACS，解决了传统强化方法导电性大幅下降的问题。

应用场景

• 铜基复合材料：用这种颗粒制备的铜基复合材料在保持高电导率的同时获得高强度，适用于电力、电子等领域。
• 高强高导铜合金：该颗粒增强的铜合金可替代传统高强高导铜合金，在需要兼顾力学性能和导电性的场合使用。
• 颗粒增强金属基复合材料：该高熵二硼化物颗粒解决了传统颗粒增强复合材料中细化与分散的矛盾，为其他金属基复合材料提供设计思路。