高纯二维金属纳米片

1–3 nm 薄层

通过有机-无机共形延展法制备高纯度Sn、Al纳米片,厚度均一可控且避免金属与氧化物杂质。

Xie, Donghao · Zhang M. · Liu, Qirong · Yunjie, Lin · Yu, Ao · Tang, Yongbing

Advanced Functional Materials 2023

参数信息

纳米片厚度
1–3 nm
可逆容量
≈940 mAh g⁻¹
循环稳定性
1200 cycles

技术优势

厚度精确可控

有机-无机共形延展法可制备厚度1–3 nm的纳米片,且厚度非常均匀一致。

高纯度无氧化物

该方法有效避免了其他金属和氧化物的引入,获得高纯度金属纳米片。

循环寿命长

SnNS-GO复合负极在1200次循环后容量无衰减,展现出优异的循环稳定性。

应用场景