抗辐照6T SRAM

背栅偏置抑制单粒子翻转

通过背栅偏置调控显著降低单粒子翻转截面，在118 MeV·cm²/mg LET下仍保持抗翻转能力，且功耗更低。

Wang, Yuchong · Chen, Siyuan · Liu, Fanyu · Gao, Jiantou · 李博 · 李彬鸿 · Huang, Yang · Li, Jiangjiang · Wang, Chunlin · Wang, Linfei · Pengyu, Cui · Shanshan, Ma · Yiru, Liao · Mengting, Chen · 王天琦 · 刘剑利 · Chuan, Huang · Zhao, Peixiong · 刘杰 · Han, Zhengsheng · 叶甜春

IEEE Transactions on Nuclear Science 2023

参数信息

不同顶层硅厚度的 SEU 截面倍数

32 ×

技术优势

背栅偏置同时降低功耗

背栅偏置策略不仅降低 SEU 敏感性，还降低了功耗，而且没有性能损失。

薄顶层硅减小翻转截面

顶层硅厚度从 65 nm 减至 45 nm，整体 SEU 截面降低约 32 倍，因为收集电荷减少。

应用场景

• 抗辐射存储器：用于核反应堆、加速器等辐射环境中的可靠数据存储。
• 空间电子系统：在卫星、深空探测器中抵御宇宙射线导致的单粒子翻转。
• 抗辐照功率集成电路：为辐照环境下的功率管理系统提供抗辐照存储单元。
• 航天器抗辐射加固：通过背栅偏置策略在航天器设计中实现低功耗抗辐照存储。