原位合成Si3N4/h-BN陶瓷

韧性强度双提升

采用立方氮化硼原位相变路线,使h-BN在基体中均匀弥散,同时强化晶粒互锁结构,解决直接添加h-BN导致的团聚和性能损失。

Wang, Dangqiang · Jian, Hu · Li, Jun · 刘立胜 · Mei, Hai · 张金咏

Ceramics International 2025

参数信息

断裂韧性提升
9.2 %
抗弯强度提升
11.5 %

技术优势

h-BN分散更均匀

由c-BN相变生成的h-BN在基体中分散更均匀,相比直接添加h-BN更能减少团聚,从而获得更均匀的显微结构。

促进致密化

c→h-BN相变增强了致密化过程,使复合材料获得更高的致密度,有利于力学性能的提升。

减弱相变抑制

该方法弱化了BN对α→β-Si3N4相变和晶粒长大的阻碍作用,使得形成互锁的细长晶粒显微结构成为可能。

应用场景