硒酸根修饰NiSe₂阵列

海水电解百小时不腐

硒酸根原位氧化形成,抑制次氯酸根生成,保障海水氧化阳极长时稳定。

Hui, Zhang · Xun, He · Dong, Kai · Yongchao, Yao · Sun, Shengjun · Min, Zhang · Meng, Yue · Chaoxin, Yang · Dongdong, Zheng · Liu, Qian · 罗永岚 · Binwu, Ying · Alfaifi, Sulaiman Yahya M. · 纪绪强 · 唐波 · Xuping, Sun

Materials Today Physics 2023

参数信息

过电位
460 mV
电解耐受时长
100 h

技术优势

不会生成次氯酸根

OER过程中硒化物原位氧化为硒酸根,有效抑制次氯酸根的生成,避免有害氯物种。

高电流下也能稳跑

在500 mA cm⁻²的高电流密度下连续电解至少100小时,性能无明显衰减。

过电位足够低

在碱性海水中达到500 mA cm⁻²仅需460 mV过电位,表明优异的OER活性。

应用场景