反应纳米层键合金刚石

超低热边界电阻

一种用于将多晶金刚石与半导体在200°C下键合的中间层材料，同时实现了极低的热边界电阻和优异的机械可靠性，超越了传统芯片贴装技术。

钟毅 · Bao, Shuchao · 赫然 · Xiaofan, Jiang · Hengbo, Zhang · Ruan, Wenbiao · Zhang, Mingchuan · 于大全

Journal of Materials Science and Technology 2024

具体参数

热边界电阻
{'zh': '9.74', 'en': '9.74'} m² K GW⁻¹
键合温度
{'zh': '200', 'en': '200'} °C
热循环耐受次数
{'zh': '1000', 'en': '1000'}
高温高湿老化耐受时间
{'zh': '1000', 'en': '1000'} h

技术优势

热阻极低

界面热边界电阻仅9.74 m² K GW⁻¹，热传输效率远优于传统芯片贴装技术。

低温键合

在200 °C下即可实现连接，热预算远低于传统高温键合工艺，避免对器件造成热损伤。

高可靠性

键合界面能承受至少1000次热循环和1000小时高温高湿老化，机械鲁棒性优异。

应用场景