SiC MOSFET有源栅极驱动器

抑制电压过冲

加入辅助驱动支路，用准闭环优化驱动时序，降低开关损耗的同时减少电压尖峰，无需复杂控制器。

Ding, Sibao · Panbao, Wang · Di, Zhao · Jiahui, Qiu · Wei, Wang · 徐殿国

IEEE Transactions on Industry Applications 2024

参数信息

电压尖峰过冲降低

26.8 %

技术优势

开关损耗也降了

与传统栅极驱动器相比，在降低过冲的同时开关损耗也得以减小。

不用复杂控制器

驱动模式的时间点选择采用准闭环方法离线优化，简化驱动电路，减轻控制器计算负担。

应用场景

• SiC逆变器：抑制SiC器件开关时的电压过冲，提升逆变器可靠性。
• 电机驱动：降低电机驱动中功率器件的开关应力，延长寿命。
• 电力电子变换器：在通用变换器中优化开关过程，兼顾效率与过冲。