AlGaN/GaN HEMT紫外探测器

高响应度与光学增益

本器件可在不改变结构的情况下同时作为功率晶体管和紫外光电探测器使用，实现无缝多功能集成。

Sharma, Mukta · Tsai, Chialung · Manjunatha, S. N. · Hsieh, Yuli · Das, Atanu · Kuan-Ying, Lee · Ko, Sun Chien · Huang, Shiangfu · Chang, Liann Be · Wu, Mengchyi

Materials Science in Semiconductor Processing 2025

参数信息

峰值响应度

758.4 A/W

光学增益

2617

线性动态范围

65.4 dB

反向导通响应度

220.7 A/W

最大漏极电流

547 mA/mm

开关电流比

1.2e7

阈值电压

-3.9 V

响应时间（上升/下降）

641/776 μs

技术优势

响应度超高

正向偏置下360 nm处峰值响应度达758.4 A/W，光学增益2617，远高于常规光电探测器。

反向也能测

在VDS<0 V且VGS+VSD>Vth时，器件仍可实现220.7 A/W的响应度，扩展了工作区间。

响应速度够快

能检测550 Hz光脉冲，响应时间（上升/下降）分别为641 μs和776 μs，满足动态探测需求。

应用场景

• 紫外光电探测：替代传统紫外探测器，在保持高响应度的同时兼具功率放大功能。
• 功率半导体器件：作为功率晶体管使用的同时，无需额外结构即可完成光信号检测。
• 宽禁带半导体：发挥AlGaN/GaN宽禁带优势，实现高响应度紫外探测与高功率处理能力。
• 光电传感系统：可集成到传感系统中，同时完成信号放大与探测，简化系统架构。