单晶BOS铁电晶体管

85°C十年不失效

单晶Bi2O2Se集成铁电/MoS2异质结，实现精准多级模拟权重编程，空间均匀性优异，为存内计算提供可靠硬件。

Li, Mengjiao · Yang, Jenn Feng · 刘亚男 · Zhang, Chi · Jingbo, Yang · Che-Yi, Lin · Luo, Chen · Chien-Hsing, Liang · Chang, Yuan · Yang, Chi · Chang, Shen · Chueh, Yu Lun · 李军 · 张建华 · Wu, Jiunn Dar · Chiu, Powen · Lin, Yen Wen

Advanced Materials 2026

参数信息

保持时间

10 years

耐久性

10^11 cycles

模拟态数

32

保持率变化

0.9 %

神经网络分类准确率

98.5 %

技术优势

权重不漂移

非对称电容堆叠有效补偿极化电荷，抑制载流子涨落，实现精确的多级权重编程。

十年不失效

在85°C高温下保持数据10年，确保存内计算芯片的长期可靠运行。

循环近乎无限

耐久性超过10^11次循环，远高于传统铁电存储器，适合频繁读写场景。

阵列均匀

原子级光滑的异质界面使阵列空间均匀性达到7%变化，保证大规模集成一致性。

应用场景

• 存内计算芯片：用非易失多级电导实现权重存储，减少数据搬运能耗。
• 神经形态计算：模拟突触权重编程，精度高且状态稳定，适合神经网络硬件加速。
• 铁电器件：利用铁电极化实现非易失存储，并通过异质结构提升可靠性。
• 非易失性存储器：断电保持权重数据十年，适合长期存储的存算一体场景。