高结晶少缺陷
痕量氧辅助合成，去除无定形碳并修复晶格缺陷，电学性能接近剥离石墨烯。
Liu, Xiaoting · Sun, Luzhao · Zhu, Wenqing · 韦小丁 · 符强 · Wang, Junjia · Wenhao, Lu · 刘海辉 · Jia, Kaicheng · 林立 · 尹万健 · 孙靖宇 · Sun, Xiucai · 刘忠范
Advanced Materials 2025
痕量氧辅助策略可有效去除无定形碳，进而促进底层晶格缺陷修复，提高结晶度。
高结晶度的石墨烯在电子束辐照下结构稳定，表明其缺陷密度低。
2D杨氏模量约355 N m⁻¹，断裂强度约1778 nN，与剥离石墨烯相当。
方阻低至174.4 ± 31.9 Ω sq⁻¹，室温载流子迁移率超过15 000 cm² V⁻¹ s⁻¹。