SiC晶须/SiC复合材料

断裂韧性提升121%

通过原位生长SiC晶须显著增强断裂韧性，可用温度-孔隙率模型精确调控晶须数量。

Lu, Decai · Cheng, Su · Jin, Laizhen · Zhang, Liwei · Shi, Dequan · Yue, Hongyan · 曾涛

Journal of Alloys and Compounds 2023

参数信息

断裂韧性提升（单位体积密度）
121.37 %
模型准确度
93 %

技术优势

断裂韧性大幅提升

原位生长的SiC晶须通过裂纹偏转、桥接等机制耗散能量，使单位体积密度断裂韧性提升最高121.37%。

晶须含量可预测

建立了晶须数量与温度-孔隙率的关系模型，准确度超过93%，可用于工艺优化。

应用场景