蠕变性能优异
全片层组织中少量晶界βo相与α2片层中βo析出共同抑制位错产生,提升蠕变抗性。
Liu, Yan · 力金山 · Tang, Bin · Wang, Williamyi · Chu, Yudong · Zhu, Lei · Weiqing, Bi · Chen, Xiaofei · 寇宏超
Progress in Natural Science: Materials International 2023
α2片层中形成的βo析出相有效减少了(α2/γ)片层中位错的产生,从而提升蠕变抗性。
具有最少晶界βo相的完全片层组织获得了优异的蠕变性能。