可切换忆阻器

三种模式可调

该忆阻器通过内部参数配置为非易失离散、非易失连续或易失类型，可模拟神经元自突触。

Jing, Zhang · 李志军

Nonlinear Dynamics 2024

技术优势

一种器件三种模式

通过调节内部参数，同一个忆阻器可以配置为非易失离散、非易失连续或易失类型，无需更换器件就能模拟不同类型的自突触。

能模拟电磁辐射影响

引入磁通控制的忆阻器模拟外部电磁辐射对神经元的作用，使模型能研究辐射强度对放电活动的影响。

电路功耗更低

采用电流模式器件设计神经元电路，提高了精度并降低了功耗。

应用场景

• 神经形态计算：用可切换忆阻器构建能模拟自突触的神经元模型，支持类脑计算研究。
• 忆阻器突触：直接用该忆阻器模拟突触的可塑性，特别是自突触对放电模式的影响。
• 非易失存储：非易失模式让忆阻器在断电后保持状态，可用于存储或内存计算。