Cu-Sn纳米颗粒薄膜

2分钟全IMC键合

用于功率电子封装的Cu-Sn纳米颗粒薄膜，通过双束激光共沉积实现快速全金属间化合物键合，兼顾高剪切强度与工艺兼容性。

Huan, Hu · 加强 · 王乙舒 · Bolong, Zhou · Zhang, Hongqiang · Mingan, Zhang · 马立民 · Zou Guisheng · 郭福

Journal of Materials Processing Technology 2024

参数信息

全金属间化合物形成时间

2 min

剪切强度

120 MPa

可用Cu含量范围

20–80 wt%

技术优势

键合快，2分钟成键

双束激光共沉积原位制备纳米颗粒薄膜，在键合过程中快速扩散形成全金属间化合物，无需长时间的固态扩散或多次回流。

与现有SiC贴装工艺兼容

该芯片贴装过程与当前商用SiC芯片贴装工艺兼容，可以直接替换现有材料体系，无需更换设备或流程。

应用场景

• 功率模块封装：用于功率模块芯片贴装，快速形成高可靠键合层。
• 高温电子封装：全金属间化合物耐高温，适合高温环境下的封装。
• SiC芯片贴装：直接替代现有SiC芯片贴装材料，工艺兼容。
• 微纳连接材料：纳米颗粒薄膜作为连接材料，实现快速扩散键合。