SiC MOSFET有源栅极驱动

短路电流降46%

在硬开关故障下通过降低栅极电压抑制短路电流，同时保持高开通速度。

张经纬 · Zhikang, Guo · Yizhan, Jiang · 谭国俊

Lecture Notes in Electrical Engineering 2023

参数信息

短路电流降幅

46 %

短路损耗降幅

51 %

技术优势

短路电流降46%

通过检测漏源电压提供较低的正栅极电压，在短路期间抑制电流上升，从而减少器件承受的电应力。

短路损耗降51%

电流与电压重叠时间缩短，短路期间产生的能量损耗显著下降，减轻器件热应力。

保持高开通速度

驱动电路关键参数经过计算和调整，确保在施加较低栅极电压的同时不影响正常开通速度。

应用场景

• SiC MOSFET驱动：驱动SiC MOSFET的同时抑制硬开关故障下的短路电流，降低器件损坏风险。
• 功率变换器保护：在功率变换器中快速限制短路电流，防止故障扩大导致系统停机或损坏。
• 短路保护：对SiC MOSFET提供有效的短路保护，同时保持正常开通速度，不影响变换器性能。