改进单面抛光机压力环的硅片

TTV 10 μm 降至 3 μm 内

通过调整压力环尺寸和固定支撑边界条件改善应力分布，提升多芯片硅片化学机械抛光的去除均匀性。

姚振强

Micromachines 2025

参数信息

TTV

10 μm

技术优势

适用于 4~6 英寸硅片多芯片 CMP