MPA修饰HgTe量子点

分散性提升近25%

以HgI₂为汞前驱体并经MPA配体处理,有效抑制HgTe量子点团聚,提升分散稳定性,进而显著改善其光电响应特性。

79624950 · 79624951 · Chuantong, Cheng · Zhaowei, Zhu · 79624952 · Li, Yuehua · Huang, Liting · Zhang, Bao · 张旭

Journal of Alloys and Compounds 2026

参数信息

水合粒径
135 nm

技术优势

分散更稳定

MPA处理后,水合粒径从约180 nm降到约135 nm,颗粒团聚受到抑制。

器件响应更强

MPA处理的量子点光导器件表现出更高的开关比和响应度,电荷传输更高效。

应用场景