欧姆栅p-GaN HEMT

抗静电能力倍增

以欧姆接触替代肖特基栅极，解决了p-GaN HEMT在静电冲击下栅极先失效的问题，更适合用于需频繁插拔或易受静电干扰的电源系统。

Shi, Yijun · He, Zhiyuan · Huang, Yun · Zongqi, Cai · Chen, Yiqiang · Liye, Cheng · 陈万军 · 孙瑞泽 · Liu, Chao · Lu, Guoguang · 张波

IEEE Transactions on Electron Devices 2023

参数信息

failure voltage reaches

4.05 kV

阈值电压变化

0 V

技术优势

栅极失效不再发生

欧姆栅区域有大量空穴与陷阱电子复合，避免电荷积累，从而防止栅极在ESD下率先损坏。

应用场景

• GaN功率器件：提供无需额外ESD保护电路的GaN功率器件，简化封装和系统设计。
• 电源管理：在电源管理模块中直接替代传统肖特基栅器件，提升系统抗静电可靠性。
• 新能源汽车电驱：在车载电驱中耐受频繁热插拔和静电冲击，降低栅极失效风险。
• 光伏逆变器：在光伏逆变器中承受户外环境静电干扰，保持长期参数稳定。