单片集成相变材料硅光平台

不牺牲器件可靠性

在晶圆代工制造的硅光器件中选择性引入氮化硅刻蚀停止层，兼容现有工艺，使功能材料可与已验证器件单片集成。

Wei, Maoliang · 许凯 · Tang, Bo · Li, Junying · 张鹏 · Kangjian, Bao · Lei, Kunhao · Chen, Zequn · Ma, Hui · Sun, Chunlei · 刘若男 · 李明 · 李兰 · 林宏焘

Nature Communications 2024

技术优势

48%峰值功耗降低

>5-bit波长选择性强度调制

>7-bit强度调制宽带衰减

零静态功耗