双源双漏SiC肖特基FET

灵敏度高554倍

悬空束流沟道结合双源双漏结构，显著放大生物分子结合引起的电流响应，实现对超低浓度目标物的高灵敏度检测。

贾护军 · Linna, Zhao · Qiyu, Su · 74942745 · 74942746 · 74942747 · 曹震 · 杨银堂

Micro and Nanostructures 2024

参数信息

Ion H-SiC-SB-FET

554 倍

gm max H-SiC-SB-FET

476 倍

Ion Ioff H-SiC-SB-FET

2.76 × 10⁴ 倍

SS

83 %