垂直堆叠SiGe/Si沟道CFET

单步外延集成

利用SiGe/Ge/Si多层外延和Ge选择性蚀刻，垂直堆叠p-SiGe/n-Si沟道，实现异质互补FET。

Chu, Chunlin · Chen, Szuhung · Chang, Weiyuan · Hsu, Shuhan · Luo, Guangli · Wu, Wenfa

ACS Applied Electronic Materials 2024

技术优势

选择比接近无限

H2O2溶液刻蚀Ge对Si和Si0.8Ge0.2的选择比接近无限，保证了中间牺牲层被干净去除而不伤及上下沟道。

结构完美无损

接近无限的选择性蚀刻带来了完美结构，顶层p-SiGe沟道无损伤地堆叠在底层n-Si沟道之上。

应用场景

• 先进逻辑芯片：提供垂直堆叠CFET的完整工艺和验证器件，直接支撑后2nm节点逻辑芯片开发。
• 纳米片晶体管制造：论文展示首次用IM SiGe纳米片pFET与IM Si纳米片nFET集成CFET，为纳米片堆叠提供范本。
• 高选择性蚀刻工艺：提出的H2O2蚀刻Ge方案选择比近无限，可直接用于CFET制造中的牺牲层去除。