少铬缺陷铬酸铅薄膜

光电水氧化电流翻倍

通过减少铬缺陷抑制深能级与表面陷阱，加速水氧化动力学。

何辉超 · 周勇

Chemical Science 2026

参数信息

光电流密度

1.13 mA cm⁻²

水氧化速率常数

40.6 s⁻¹

技术优势

光电流翻倍

减少Cr缺陷后，光阳极在1.23 V vs. RHE下的光电流从0.55提高到1.13 mA cm⁻²，达到富缺陷薄膜的两倍。

水氧化动力学更快

少缺陷薄膜的水氧化速率常数达到40.6 s⁻¹，接近富缺陷薄膜（8.2 s⁻¹）的5倍，表明表面催化反应显著加快。

应用场景

• 光电催化分解水：直接用少缺陷薄膜作光阳极，提升分解水电流。
• 太阳能制氢：更高的光电流和快速动力学有利于产氢。
• 光电极材料：展示缺陷工程对光电极性能的关键作用，可作材料设计参考。