泡沫状GaN

粗糙度35 nm级

通过调节刻蚀液中水含量实现对泡沫状GaN表面粗糙度的连续调控，为光电器件提供定制的表面形貌。

Zhang, Zi'ang · Zhou, Quan · Yi-xin, Lu · Run-ze, Yang · 潘革波

Journal of Electroanalytical Chemistry 2024

参数信息

表面粗糙度
34.6 nm

技术优势

粗糙度连续可调

通过改变刻蚀液中水含量，可将泡沫状GaN表面粗糙度从57.6 nm连续降至34.6 nm，满足不同器件对表面形貌的需求。

理解刻蚀机理

提出物理冲击刻蚀机理，阐明了水在光电化学刻蚀过程中的作用，为工艺优化提供理论指导。

应用场景