垂直GaN PiN二极管

抗质子辐照

质子辐照后仍保持1.7 kV以上反向阻断能力,适用于严苛辐射环境。

Xie, Xuan · Yu, Shunjie · Tang, Xi · 陈锐 · 徐光伟 · Shibing, Long · 杨树

IEEE Electron Device Letters 2024

具体参数

质子辐照后反向阻断电压高于
{'zh': '1.7', 'en': ''} kV