TiB₂/SiCNO薄膜应变计

高温800°C应变传感

可在合金基底上与金属共烧结的薄膜应变计,具有高电导率并耐受1000°C热冲击。

Wu, Chao · Yanzhang, Fu · Zeng, Yingjun · Chen, Guochun · Pan, Xiaochuan · Lin, Fan · Xu, Lida · 陈沁楠 · Sun, Daoheng · 海振银

Chemical Engineering Journal 2023

具体参数

室温电导率
{'zh': '18.1', 'en': '18.1'} S cm⁻¹
高温稳定性
{'zh': '800', 'en': '800'} ℃
热冲击耐受
{'zh': '1000', 'en': '1000'} ℃
应变灵敏度因子
{'zh': '8.6', 'en': '8.6'}
应变传感温度范围
{'zh': '25–800', 'en': '25–800'} ℃

技术优势

几分钟完成烧结

UHS 技术将 PDC-NC 薄膜的烧结时间从传统炉烧的数小时缩短到几分钟,大幅降低了对合金基底的热损伤风险,使得高导电薄膜与低耐温金属的集成成为可能。

电导率提升数个量级

UHS 促进 SiCNO 基体中自由碳的析出并抑制高温氧污染,使得 TiB₂/SiCNO 薄膜在室温下电导率达到 18.1 S cm⁻¹,比炉烧样品高几个数量级。

耐 1000 ℃ 热冲击

利用 UHS 的超快加热和冷却速率制备的高质量薄膜能够承受高达 1000 ℃ 的热冲击,适用于温度剧烈变化的环境。

应用场景