高密度不再牺牲开关
室温制备的边缘接触与双栅结构，在碳纳米管层数增加时保持开关性能不退化，有效抑制高密度薄膜的静电屏蔽。
杨雷静 · Yang, Yingjun · Wei, Nan · 张洪欣 · 张琦 · 忻向军
ACS Nano 2026
边缘接触取代传统侧接触后，开态电流随碳纳米管层数线性增长，不再因静电屏蔽而饱和，从而同时获得高驱动电流和高密度。
双栅结构将双层碳纳米管器件的亚阈值摆幅从207降至68 mV/dec，开/关电流比从5 × 10⁴提升至超过10⁶，更接近理想开关特性。
准零维边缘接触与双栅结构在10个月大气暴露后仍保持电学性能，无需额外封装或钝化层，简化集成流程。
边缘接触在室温下制备，避免高温对底层器件和柔性衬底的损伤，适用于三维集成和柔性电子。