N-取代二维碳氮化物

能带可调

通过控制N原子取代比例,可在金属性、狄拉克态、半导体及磁性半导体之间切换电子结构。

Duan, Xianghui · Zhou, Baozeng · 王小超

Applied Surface Science 2023

参数信息

带隙
0.80 eV
带隙
1.69 eV

技术优势

带隙宽域可调

N原子取代比例不同,带隙在0.80–1.69 eV之间变化,覆盖从可见光到近红外的光响应范围。

电子态多态切换

同一骨架可实现金属、狄拉克半导体、间接带隙半导体等多种导电行为,满足不同器件需求。

磁性可按需设计

特定N取代比例产生双极磁性半导体,可通过外场调控自旋极化,适合自旋电子学应用。

热力学与动力学稳定

所有DB-CxNy单层均通过声子谱验证无虚频,具有实际存在的可能性。

应用场景