高密度电子俘获边缘
这种垂直生长的石墨烯纳米片具有高密度电子俘获边缘，可作为单层WSe₂的界面工程材料，实现重p型掺杂并激发出激发态双激子发射。
文博 · Da-Ning, Luo · Linglong, Zhang · Li, Xiaolin · Xin, Wang · Huang, Liangliang · 张希 · Diao, Dongfeng
Frontiers of Physics 2023
利用TGNEC薄膜边缘量子阱的电子俘获中心，在室温下即激发单层WSe₂的激发态双激子，无需低温冷却。
通过高密度GNs边缘对WSe₂进行空穴注入，形成重p型掺杂，表现为室温下强的trion发射峰。
通过俘获光激发电子，可主动降低电子-空穴复合速率，实现PL发射的调控，适用于光开关等应用。