Ar/N2-H2-Si等离子体

热力学与输运全参数

系统计算的Ar-H2-Si和N2-H2-Si等离子体组分、热力学性质及输运系数，可为硅纳米颗粒合成的磁流体动力学模拟提供基础数据。

Zhu, Cheng · Chen, Xianhui · Yunfei, Zhang · Xia, Weidong · 王成

Journal of Physics D: Applied Physics 2024

具体参数

硅蒸气浓度

{'zh': '1', 'en': '1'} %

技术优势

硅蒸气影响不可忽略

仅引入1%的硅蒸气就显著改变等离子体的电导率，因此在建模时必须考虑硅蒸气的存在，不能简单忽略。

数据可直接用于MHD模拟

计算得到的组分、热力学性质和输运系数可作为磁流体动力学模拟的基础数据，用于硅纳米颗粒合成的数值研究。

应用场景

• 硅纳米颗粒合成：提供合成过程模拟所需的等离子体物性数据。
• 热等离子体材料加工：帮助预测热等离子体加工中含硅体系的行为。
• 磁流体动力学模拟：提供磁流体动力学模拟所必需的输运系数和热力学参数。