h-¹⁰BN半导体探测器

热中子探测

基于MOCVD法生长的70μm厚h-¹⁰BN，兼具高载流子迁移率寿命积与快时间响应，实现对热中子的直接探测。

He, Shiyi · Fangbao, Wang · 陈亮 · 李洋 · Ruan, Jinlu · Ouyang, Xiaoping

Journal of Materials Science 2023

具体参数

载流子迁移率寿命积

{'zh': '1.62×10⁻⁷', 'en': ''} cm²/V

间响应小于

{'zh': '12', 'en': ''} ns

电荷收集效率

{'zh': '90', 'en': ''} %

最大电荷收集深度

{'zh': '约50', 'en': ''} μm