太赫兹菲涅尔波带片

离子注入增韧硅

采用离子注入表面改性将硅的延脆转变深度提高近十倍,结合超精密切削与选择性金属化,在硅基底上直接加工出高质量衍射元件,为紧凑型太赫兹组件提供实用制造路径。

Wang, Jinshi

Micromachines 2026

参数信息

延脆转变深度从
55 nm

技术优势

3 μm 非晶层