电阻率9.7×10⁻⁷ Ω·m
通过MXene修饰银包铜粉形成高导电介质，打破传统导电填料的电子传输瓶颈，并首次将MXene应用于导电介质。
张炎 · Liu, Yuqiang · 周建平 · 孙大千 · 李红梅
Advanced Materials 2023
MXene与银包铜粉形成宽电子传输通道，克服传统导电填料电子转移速率低的缺陷。
通过定量混合形成高导电介质，电阻率达9.668×10⁻⁷ Ω·m，导电性能大幅提升。
通过计算建模合理设计结构，极大防止MXene纳米片堆叠，提高结构稳定性。
本研究首次报道将MXene应用于高导电介质，开辟新应用方向。