4H-SiC抛光基底

控压提升抛光表面质量

该基底通过优化水环境抛光压力，平衡材料去除率与表面损伤，避免过度压缩引起的结构缺陷。

Zhou, Yuqi · 黄宇华 · Li, Jinming · 吕葳杉 · 朱福龙

Diamond and Related Materials 2023

参数信息

水膜施加压力下

4 H-SiC

技术优势

水膜承担部分压力

水膜承担了部分抛光压力，降低了基底受到的直接压力，从而避免因压力过大引起的过度损伤。

压力过高会损伤表面

当抛光压力超过一定值后，进一步增压会降低加工质量且不再提高材料去除率，因此需要控制压力避免损伤。

应用场景

• 碳化硅晶圆加工：用于优化抛光压力，提升晶圆表面质量。
• 功率半导体衬底：获取低损伤衬底表面，保障器件性能。
• 超精密抛光：提供压力参数指导，实现可控精密抛光。
• 宽禁带半导体制造：改善宽禁带半导体晶圆抛光工艺。