GaN HEMT双极性DC-DC转换器

高频高功率密度

采用氮化镓开关器件,将开关频率提升至1 MHz,在小型化与轻量化上取得突破。

Yang, Yujin · Liu, Yu · Zhao, Yuhui · Jiaxin, Liu · 邾玢鑫

Energy Reports 2023

参数信息

开关频率
1 MHz
总重量
121.6 g
功率密度
35.23 W/in³
最高效率
92.7 %

技术优势

频率升至1 MHz

采用GaN开关器件,将转换器的开关频率提升至1 MHz,从而实现无源元件的小型化,有效减小整机体积和重量。

功率密度上去

在1 MHz开关频率下,转换器(含散热器)总重仅121.6 g,功率密度达到35.23 W/in³,满足了高功率密度需求。

效率不拖后腿

在实现高频小型化的同时,转换器最高效率达到92.7%,证明GaN器件的高频应用不会牺牲转换效率。

应用场景