双改性ZnO传输层

效率亮度倍增

通过Li掺杂协同MgO包覆调控缺陷态，解决ZnO/量子点界面激子淬灭与电荷注入限制，为InP基环保型QLED提供高性能电子传输层。

Ning, Meijing · 曹盛 · Li, Qiuyan · Hang, Luo · Zhentao, Du · Wang, Yunjun · 赵家龙

Journal of Physical Chemistry C 2023

具体参数

外量子效率

{'zh': '9.7', 'en': '9.7'} %

亮度

{'zh': '22200', 'en': '22200'} cd m⁻²

技术优势

效率提升2.6倍

Li掺杂和MgO包覆协同钝化ZnO缺陷，抑制激子淬灭，使EQE从纯ZnO器件的3.7%提升至9.7%。

亮度提高7倍

由于界面非辐射复合减少，器件在4.2 V下亮度达22,200 cd m⁻²，远超纯ZnO器件。

漏电流更小

Li掺杂提高ZnO电子迁移率并减少ZnO/量子点界面的自发电荷转移，从而降低QLED的漏电流。

无镉环保

使用InP量子点替代含镉量子点，减少重金属污染，同时保持高性能。

应用场景

• QLED显示：替代含镉QLED显示，满足环保法规同时保持高亮度高效率。
• 环保发光器件：避免使用有毒镉，减少废弃电子器件对环境的污染。
• 量子点光电器件：提供高性能电子传输层，提升量子点光电器件的载流子注入效率。
• 柔性显示：ZnO基电子传输层可溶液加工，适合卷对卷柔性显示制造。