InF₃取代硫银锗矿电解液

高临界电流密度

一种通过In/F共取代提升对锂金属稳定性与有机溶剂耐受性的硫化物固态电解质，可制成35µm超薄膜并在室温下工作。

黎大兵 · Xinyu, Liu · Yang, Li · Xiaoxue, Zhao · Meng, Wu · Xiang, Qi · 高磊 · 范丽珍

Advanced Energy Materials 2024

具体参数

临界电流密度

2.5 mA cm⁻²

离子电导率

1.4 mS cm⁻¹

厚度

35 µm

技术优势

在1 mA cm⁻²、25°C下稳定循环超过1000小时