Ni₃Sb纳米晶体

低过电位析氢

沿(001)面分布的平面微应变使其更适于催化析氢反应。

张研 · Si, Jiwen · Zihan, Chen · Longxin, Zhao · 邱发贵 · 李文庆 · Wei, Zhang · Miao, Shiding

Advanced Energy Materials 2025

参数信息

析氢过电位
93 mV
Tafel斜率
45 mV dec⁻¹
氢吸附电阻
0.019 Ω
全解水电压
1.58 V

技术优势

析氢过电位低

Ni₃Sb纳米晶只需93 mV过电位即可达到10 mA cm⁻²,且Tafel斜率仅45 mV dec⁻¹,表明催化动力学快速。

氢吸附电阻极低

极低的氢吸附电阻(0.019 Ω)有利于析氢过程中的电荷转移,减少能量损失。

本征活性可调

锑的调控改变了晶体结构和配位环境,从而优化催化剂的电子性质,提升析氢与析氧活性。

应用场景